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              半導體產業鏈高景氣趨勢明確 華燦光電定增乘風而上

              字體變大  字體變小 發布日期:2020-11-20  來源:證券市場紅周刊  瀏覽次數:1317
              核心提示:國家發改委官宣“新基建”的范圍,正式定調了5G基建、人工智能、工業互聯網等七大領域的發展方向。

              國家發改委官宣“新基建”的范圍,正式定調了5G基建、人工智能、工業互聯網等七大領域的發展方向。以氮化鎵 (GaN) 和碳化硅(SiC) 為首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料,LED作為氮化鎵 (GaN)材料最成熟的商業化應用,電力電子器件則為氮化鎵 (GaN)材料另一廣闊應用領域。受益于“新基建”對下游產業的大力扶持,在“新基建”與國產替代的加持下,國內半導體廠商將迎來巨大的發展機遇。

               

              戰略轉型成果顯著定增發力高端產品

               

              在創新驅動發展的格局下,年初以來,公司治理體系、產品結構等持續優化,戰略轉型成果突出,這在華燦光電三季報的業績上也得以反映出來,今年第三季度公司業績成功扭虧為盈,其中,實現凈利潤563 。75萬元,同比大漲103.09%,實現營收7.43億,同比增加3.68%,前三季度公司共實現營收18.11億元。

               

              為在未來的市場競爭中占據戰略制高點,持續保持行業競爭優勢,公司踩準節奏理性有序擴張,擬定增募資15億元用于Mini/Micro LED的研發與制造項目及GaN基電力電子器件的研發與制造項目。

               

              公開資料顯示,華燦光電是最早進入Mini LED和Micro LED領域研究的廠商之一,公司的Mini LED產品具有光色一致性好、可焊性強、可靠性佳等優點,獲得眾多主力終端顯示客戶的認可,目前已經大批量出貨,銷量持續上升;Micro LED目前在外延和芯片技術方面取得了較好的成果,產品在波長均勻性、表面缺陷密度等方面均取得突破性進展,未來伴隨巨量轉移技術的解決,必將大力推進Micro LED的商業化進程。此外,華燦光電GaN基電力電子器件將主要面向智能手機、汽車電子、數據中心等市場應用。

               

              市場持續擴容 Mini /Micro LED蓄勢待發

               

              據Trendforce預測,2024年全球Mini/Micro LED市場規模有望達到42億美元,與此同時,來自政策層面的利好同樣也在推動Mini/Micro LED的發展,預計到2022年,我國超高清視頻產業總體規模將超過4萬億元。Micro LED被認為是未來LED顯示技術發展新的風口,有可能決定未來幾十年顯示技術的競爭格局,此前蘋果、Facebook、三星等多家國際巨頭均已布局。與此同時,Micro LED市場景氣度較高,年初至今Micro LED指數較高上沖至1539.09點,較年內最低點漲幅60.29%。

               

              華燦光電作為全球領先的LED芯片制造商,公司尤為重視高端LED產品的研發,目前已開發完成RGB Mini LED芯片、背光Mini LED芯片、超大電流密度白光LED芯片等專項,積累了一批核心技術。其中,公司開發出的Mini LED顯示/背光芯片產品從光效、耐電流沖擊能力到一致性和可靠性,都有大幅提升和優化,廣泛應用于會議,影院,消費電子、車載顯示等領域。

               

              公司此次定增募資的Mini/Micro LED研發與制造項目主要產品包括 Mini/Micro LED 外延片、Mini/Micro LED 芯片等,該項目符合公司布局高端LED的長期發展戰略,將有助于公司繼續擴大在LED芯片領域的競爭優勢、鞏固LED顯示屏芯片市場的領先地位。Mini LED RGB顯示技術作為小間距顯示屏的自然延伸,P1.1以下的顯示屏應用,Mini LED 為主流芯片方案,且未來隨著成本下降,Mini背光將大比例替代現有的LED背光,成為大尺寸液晶背光顯示方案的主流選擇。Micro LED的市場滲透率也將進一步提升,公司有望盡享市場紅利。

               

              搶灘新高地構建GaN功率器件完整產業鏈

               

              受國家政策層面利好,第三代半導體有望成為我國半導體產業的突圍先鋒,相關產業鏈上下游企業將充分受益。同時,人工智能、5G等產業的技術和應用發展持續向好,為以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體板塊提供了上漲支撐,年初至今,第三代半導體指數曾沖至3154.78較高點,較年初上漲84.93%。由此可見,無論政策還是資本市場無不傳達出第三代半導體行業蓬勃向上的信號,多家券商也給予第三代半導體行業“推薦”評級。

               

              第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能等優點,是我國“新基建”建設至關重要的技術支撐。據Omdia預測,全球SiC和GaN功率半導體銷售收入將由2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元,至2029年底或超50億美元,未來十年將保持年均兩位數增速。其中,GaN的物理性質與SiC類似,能隙、飽和電子速度、臨界擊穿電場均高于SiC,被產業和市場廣泛關注,且以GaN為核心的射頻半導體支撐著5G基站及工業互聯網系統的建設。

               

              華燦光電緊跟行業發展趨勢,此次定增發力的GaN基電力電子器件的研發與制造項目將建立GaN功率器件從設計開發、外延生長、芯片制造到晶圓測試的完整業務鏈,將產品開發、制造與市場需求緊密結合,通過更快的產品迭代和穩定的良品率,以具有相當市場競爭力的性價比,快速推進GaN功率器件的大規模產業化。

               

              此次定增完成后,華燦光電在LED芯片行業的龍頭地位將得以鞏固,同時公司將建立在GaN功率器件領域的國內領先地位,實現公司向高端綜合半導體制造商的戰略升級,全面提升公司的核心競爭力和可持續發展能力。

               
               
              關鍵詞: 半導體 華燦光電
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